Wolframové titanové naprašovací terče

1. Název atributů: Naprašovací terče ze speciální slitiny
2. Název produktu: Wolframové titanové naprašovací terče
3. Symbol prvku:W + Ti
4. Čistota: 3N5, 4N, 4N5
5.Tvar:Rovinný

Odeslat dotaz

Představení produktu

Wolframové titanové naprašovací terče:

Naše wolframové titanové naprašovací terče jsou vyráběny pomocí nejmodernějších výrobních technik práškové metalurgie. Naprašovací terče WTi nabízíme v řadě velikostí až do průměru 400 milimetrů. Jsme mezi prvními výrobci, kteří vytvořili WTi jako rotační i rovinný terč. Obsah titanu v našich terčích WTi je obvykle 10 % hmotnosti.

Hustota	Větší nebo rovno 98 %
Čistota	> 99.95%
Obsah titanu	10 % hmotnostních
Homogenita distribuce titanu	± 0.5%
Mikrostruktura	Jemné zrno, velikost zrna < 50 µm

Wolfram-titanové naprašovací terče

Slitina wolframu a titanu

Oblasti použití pro wolfram-titan:
Jako metalizační lepidlo a difúzní bariéra v mikročipech se používá wolfram-titan (WTi), který obsahuje 10 % hmotnostních titanu. V tomto případě se WTi používá k oddělení metalizačních a polovodičových vrstev, jako je měď od křemíku nebo hliník od křemíku. Bez difúzních bariér by se křemík a měď spojily a vytvořily intermetalickou fázi v mikročipech, což by ohrozilo výkon polovodiče. Bariérová vrstva WTi se používá ve flexibilních tenkovrstvých solárních článcích (CIGS), aby zabránila železným iontům difundovat přes molybdenový zadní kontakt a do polovodiče. Účinnost solárních článků CIGS může být výrazně snížena již o několik g/g železa.

a.Prášková metalurgie se používá k výrobě wolframových titanových naprašovacích terčů, které se široce používají při výrobě polovodičů a tenkovrstvých solárních článků.

Tenký film b.WTi10wt% se používá v polovodičových aplikacích jako adhezní vrstva a difúzní bariéra k izolaci metalizačních vrstev od polovodiče, jako je měď nebo hliník od křemíku. V důsledku toho může být funkce tranzistoru v mikročipech výrazně zvýšena.

c.WTi10wt% tenký film se také používá v tenkovrstvých solárních článcích jako bariérová vrstva k zastavení difúze železných iontů z ocelového substrátu do molybdenového zadního kontaktu a polovodiče CIGS. Terče vyrobené z wolframu a titanu se také používají k zakrytí nástrojů a LED .

Na dvou obrázcích je pod schematickou konstrukcí solárního článku CIGS vlevo znázorněna metalizace polovodičů s flip čipem pomocí vrstev WTi.

Tungsten Titanium Sputtering Targets picture 1

Kvalita vrstvy se zvyšuje s čistotou nátěrové hmoty. Abychom zajistili co nejvyšší čistotu materiálu, používáme pouze nejčistší prášek a od začátku jej mícháme ve vlastních zařízeních. Od prášku až po hotový produkt pečlivě sledujeme každou fázi, abychom se ujistili, že naše zařízení opustí pouze cíle s přesnou zaručenou hustotou, čistotou a homogenní mikrostrukturou.

Naše továrna je schopna vyrábět terče s WTi 90/10 hm. %, WTi 85/15 hm. % a terče se speciálním složením Tungsten Titanium Sputtering Targets, které lze přizpůsobit. Hustota skutečných cílů je > 99 % a typická velikost zrna je 100 um. Koncoví uživatelé mohou dosáhnout konstantní rychlosti eroze a vysoké čistoty a homogenního tenkého povlaku během procesu PVD s čistotou až 4N5 a speciální úpravou žíháním, rovnoměrnou velikostí zrna a sníženým obsahem plynu.

Pokud máte nějaké potřeby nebo dotazy, neváhejte nás kontaktovat.